Composants électroniques de mémoire à service complet d'origine, Die MT29F2G08ABAGAM79A3WC1
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Attributs
Composant et pièceType
2 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
En vracType de conditionnement
MémoireApplication
Composants électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:256 millions x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
2 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
En vrac
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NAND
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
256 millions x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,5118 €
>= 3 100 pièce
0,2559 €
Options
SélectionnerSpécification
MT29F2G08ABAGAM79A3W1
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