Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4GbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM-DDR3L
Tension D'alimentation:1,283 V ~ 1,45 V
Fréquence de l'horloge:933 MHz
Organisation de la mémoire:512 millions x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:POD
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg
