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Caractéristiques

Référence fabricant

RJK1028DNS-00#J5

Marque nom

Original

Description

ABU / MOSFET

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-HWSON (3.3x3.3)

Température de fonctionnement

150°C

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Caractéristiques du produit

FET Caractéristique
-
Package/Boîte
8-HWSON (3.3x3.3)
Description
ABU / MOSFET
Référence fabricant
RJK1028DNS-00#J5
Marque nom
Original
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
150°C
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
4A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
165 mOhms à 2 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 1 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3,7 nC @ 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
+12V, -5V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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