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SI5902BDC-T1-GE3

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-SMD, broches plates

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SI5902BDC-T1-GE3
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-SMD, broches plates
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
TrenchFET
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
3.12W
FET Caractéristique
Porte de Niveau logique
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
4A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
65 mOhms à 3,1 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
220pF à 15V
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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