Composants électroniques : Mémoire SRAM asynchrone 64 Kbit 4,5 V-5,5 V 28 CDIP 7164L100DB – Achetez en ligne
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Attributs
Component & PartType
64KbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TubeType de conditionnement
MemoryApplication
Kit Electronic ComponentsCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Asynchronous
Tension D'alimentation:4.5V ~ 5.5V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:8K x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:100ns
Memory Interface:Parallel
Caractéristiques du produit
Type
Component & Part
Taille de La mémoire
64Kbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tube
Application
Memory
Caractéristiques
Kit Electronic Components
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM - Asynchronous
Tension D'alimentation
4.5V ~ 5.5V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
8K x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
100ns
Memory Interface
Parallel
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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0,5108 €
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0,2554 €
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7164L100DB
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