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Référence fabricant

EPC2302

Marque nom

Original

Description

TRANS GAN 100V DIE .0018OHM

Point d'origine

China

Package/Boîte

7-QFN (3x5)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
EPC2302
Marque nom
Original
Description
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Point d'origine
China
Package/Boîte
7-QFN (3x5)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
eGaN
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
101A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1,8 mOhms à 50 A, 5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 14 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3200 pF @ 50 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
5V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
GaNFET (nitrure de gallium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
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