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Composants électroniques Transistors 8-SolC IRF9953 - Service complet d'origine

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Référence fabricant

IRF9953

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largeur)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IRF9953
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largeur)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
HEXFET
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
2W
FET Caractéristique
Porte de Niveau logique
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
2,3 A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
250 mOhms à 1 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
190pF à 15V
Configuration
2 P-Channel (Dual)
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux P (double)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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