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Composants électroniques Transistors Die NTC040N120SC1 – Service complet d'origine

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100-3 099 pièce
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Caractéristiques

Référence fabricant

NTC040N120SC1

Marque nom

Original

Description

VENTES DE PLAQUETTES SIC MOS 40 MOHM 1200 V

Point d'origine

China

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Matrice

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NTC040N120SC1
Marque nom
Original
Description
VENTES DE PLAQUETTES SIC MOS 40 MOHM 1200 V
Point d'origine
China
Package/Boîte
Matrice
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
60A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
56 mOhms à 35 A, 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,3 V à 10 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1781 pF à 800 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
20V
Vgs (Max)
+25V, -15V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Plateau
Type de FET
Canal N
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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