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Service complet d'origine pour transistors LFPAK56 ; Power-SO8 BUK7J1R4-40HX Achetez des composants électroniques en ligne

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BUK7J1R4-40HX

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56

Point d'origine

China

Package/Boîte

LFPAK56 ; Power-SO8

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
BUK7J1R4-40HX
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56
Point d'origine
China
Package/Boîte
LFPAK56 ; Power-SO8
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
40 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
120A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1,4 mOhm à 25 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,6 V à 1 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
126 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
8155 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
+20V, -10V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

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