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Composants électroniques : Transistors PG-TO252-3-313 IPD60R600CP – Service complet

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Caractéristiques

Référence fabricant

IPD60R600CP

Marque nom

Original

Description

MOSFET de puissance canal N

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TO252-3-313

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPD60R600CP
Marque nom
Original
Description
MOSFET de puissance canal N
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-TO252-3-313
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
CoolMOS CP
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
600 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
6,1 A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
600 mOhms à 3,3 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,5 V à 220 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 100 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
En vrac
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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