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Composants électroniques Transistors PG-HSOF-8 IGT65R025D2ATMA1 - Service complet d'origine

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Référence fabricant

IGT65R025D2ATMA1

Marque nom

Original

Description

IGT65R025D2ATMA1

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-HSOF-8

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IGT65R025D2ATMA1
Marque nom
Original
Description
IGT65R025D2ATMA1
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-HSOF-8
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
CoolGaN G5
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
70A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
1,6 V à 6,1 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 3 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
780 pF @ 400 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-10V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
GaNFET (nitrure de gallium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
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