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Référence fabricant

IPBE65R075CFD7AATMA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 650V 32A TO263-7

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TO263-7-3-10

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPBE65R075CFD7AATMA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 650V 32A TO263-7
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-TO263-7-3-10
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
CoolMOS CFD7A
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
32A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
75 mOhms à 16,4 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,5 V à 820 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3288 pF @ 400 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
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