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Composants électroniques Transistors PowerDI5060-8 DMT36M1LPS-13, service complet d'origine

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0,1712 €
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Caractéristiques

Référence fabricant

DMT36M1LPS-13

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8

Point d'origine

China

Package/Boîte

PowerDI5060-8

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DMT36M1LPS-13
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
Point d'origine
China
Package/Boîte
PowerDI5060-8
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
65A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
6 mOhms à 20 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16,7 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1155 pF @ 15 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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