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Caractéristiques

Référence fabricant

EMH1-TP

Marque nom

Original

Description

TRANSISTOR NUMÉRIQUE DOUBLE NPN, SOT

Point d'origine

China

Package/Boîte

SOT-563, SOT-666

Série

-

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
EMH1-TP
Marque nom
Original
Description
TRANSISTOR NUMÉRIQUE DOUBLE NPN, SOT
Point d'origine
China
Package/Boîte
SOT-563, SOT-666
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
100mA
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
50V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
300 mV à 500 µA, 10 mA
Courant-coupure de collecteur (Max)
500nA
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
56 à 5 mA, 5 V
Puissance Max
150mW
Résistance-socle (R1)
22 kΩ
Résistance-socle émetteur (R2)
22 kΩ
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de transistor
2 NPN - Pré-biasés
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
100mA
Fréquence - Transition
200MHz
Puissance - Max
150mW

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vente Unités
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1X1X1 cm
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0.1 kg

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