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Composant électronique Transistors TO-263 AOB12N65L, service complet d'origine

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100-3 099 pièce
0,8318 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

AOB12N65L

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 650V 12A TO263

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-263 (D2PAK)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
AOB12N65L
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 650V 12A TO263
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-263 (D2PAK)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
12A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
720 mOhms à 6 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2150 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±30V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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