Transistor de puissance d'origine 13009 J13009-2 TO-220 12A/700V npn transistor de commutation haute puissance
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Attributs
Power transistorType
Objectif généralApplication
TraversantsType de paquet
TO-220Package/Boîte
Transistor de puissanceDescription
J13009-2Référence fabricant
Marque nom:ALL BRAND
Point d'origine:Florida, United States
Série:Transistor de puissance
Code date de fabrication:Norme
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.):Norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:Norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:Norme
Résistance-socle (R1):Norme
Résistance-socle émetteur (R2):Norme
Vidange à la tension de la Source (Vdss):Norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:Norme
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:Norme
Vgs (th) (Max) @ Id:Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:Norme
Fréquence:Norme
Courant nominal (ampères):Norme
Facteur de bruit:Norme
Alimentation-Sortie:Norme
Tension Nominale:Norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):Norme
Vgs (Max):Norme
Type IGBT:Norme
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:Norme
Entrée:Norme
Thermistance NTC:Norme
Tension-panne (V (BR) GSS):Norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):Norme
Vidange de courant (Id)-Max:Norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id:Norme
Résistance-RDS (On):Norme
Tension-Sortie:Norme
Tension-décalage (Vt):Norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):Norme
Courant-vallée (Iv):Norme
Courant-Crête:Norme
Transistor Type:Transistor de puissance
Type de montage:Transistor de puissance
Condition:Tout neuf et original
Statut sans plomb:RoHS conforme
Emballage:Forfait standard
Expédition par:DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
Qualité:Haute qualité
Nom du produit:Transistor 13009
Caractéristiques du produit
Type
Power transistor
Application
Objectif général
Type de paquet
Traversants
Package/Boîte
TO-220
Description
Transistor de puissance
Référence fabricant
J13009-2
Marque nom
ALL BRAND
Point d'origine
Florida, United States
Série
Transistor de puissance
Code date de fabrication
Norme
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
Norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Norme
Résistance-socle (R1)
Norme
Résistance-socle émetteur (R2)
Norme
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Norme
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Norme
Vgs (th) (Max) @ Id
Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Norme
Fréquence
Norme
Courant nominal (ampères)
Norme
Facteur de bruit
Norme
Alimentation-Sortie
Norme
Tension Nominale
Norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Norme
Vgs (Max)
Norme
Type IGBT
Norme
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Norme
Entrée
Norme
Thermistance NTC
Norme
Tension-panne (V (BR) GSS)
Norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Norme
Vidange de courant (Id)-Max
Norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Norme
Résistance-RDS (On)
Norme
Tension-Sortie
Norme
Tension-décalage (Vt)
Norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Norme
Courant-vallée (Iv)
Norme
Courant-Crête
Norme
Transistor Type
Transistor de puissance
Type de montage
Transistor de puissance
Condition
Tout neuf et original
Statut sans plomb
RoHS conforme
Emballage
Forfait standard
Expédition par
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
Qualité
Haute qualité
Application
But général
Nom du produit
Transistor 13009
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.005 kg
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Quantité minimale : 100 pièce
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Personnalisation à partir de modèles
Personnalisation à partir d’échantillons
Personnalisation complète
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