Original R1LV3216RSA-7SR # Composants électroniques de mémoire B0 48 TFSOP
Note de la boutique :4.6
(3 avis)
Attributs
SRAMTechnologie
volatileType de mémoire
4M x 8, 2M x 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
32 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:70 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
4M x 8, 2M x 16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
32 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
70 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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Avertissement/Disclaimer
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>= 3 001 pièce
15,06 €
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R1LV3216RSA7SR # B00
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