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Original RJK5015DPM-00 # Composants électroniques Transistors T1 TO-3PFM

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Caractéristiques

Référence fabricant

RJK5015DPM-00#T1

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-3PFM

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
RJK5015DPM-00#T1
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-3PFM
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
500 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
25A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
240 mOhms à 12,5 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±30V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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