Composant électronique de mémoire original STK12C68-5K55M 28 CDIP
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Attributs
Composant et pièceType
64 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TuyauType de conditionnement
MémoireApplication
Composants électroniques ICCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:8K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:55 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
64 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques IC
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
8K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
55 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 - 3 000 pièce
372,20 €
>= 3 001 pièce
186,10 €
Options
SélectionnerSpécification
STK12C685K55M
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