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Transistor MOSFET IGBT TO-3P DIP 40N60 40N60NPFDPN SGT40N60NPFDPN Composants Électroniques Circuits Intégrés

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Quantité minimale : 10 pièce
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PCBA (Quantité min. : 1 pièce)
SMT (Quantité min. : 1 pièce)
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Caractéristiques

Référence fabricant

SGT40N60NPFDPN

Type

Transistor

Marque nom

Original

Description

IGBTs simples TO-3P-3 RoHS

Point d'origine

Other

Package/Boîte

TO-3P

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SGT40N60NPFDPN
Type
Transistor
Marque nom
Original
Description
IGBTs simples TO-3P-3 RoHS
Point d'origine
Original
Package/Boîte
TO-3P
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Code date de fabrication
/
Collecteur de courant (Ic) (Max)
80A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
600V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
/
Courant-coupure de collecteur (Max)
/
Puissance Max
-
Courant nominal (ampères)
100mA
Type de montage
Through Hole
Type de montage
Traversant (Through Hole)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

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Options de personnalisation

PCBA(+ à partir de /Commande minimale : 1 pièce)
SMT(+ à partir de /Commande minimale : 1 pièce)
PCB(+ à partir de /Commande minimale : 1 pièce)
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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs