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Transistors originaux 6-VDFN à pad exposé TSM2537CQ Composant électronique

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100-3 099 pièce
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Caractéristiques

Référence fabricant

TSM2537CQ

Marque nom

Original

Description

MOSFET N/P-CH 20V 11.6A 6TDFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

6-VDFN avec pad exposé

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
TSM2537CQ
Marque nom
Original
Description
MOSFET N/P-CH 20V 11.6A 6TDFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
6-VDFN avec pad exposé
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
6,25 W
FET Caractéristique
Porte de niveau logique, entraînement 1.8V
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
20V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
11,6 A (Tc), 9 A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
30 mΩ à 6,4 A, 4,5 V, 55 mΩ à 5 A, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9,1 nC à 4,5 V, 9,8 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
677pF à 10V, 744pF à 10V
Configuration
N and P-Channel
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
Canal N et P

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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