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Composants électroniques Transistors originaux 6-XFDFN à pad exposé SI3439KU6-TP

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Caractéristiques

Référence fabricant

SI3439KU6-TP

Marque nom

Original

Description

MOSFET N/P-CH 20V 0.75A 6DFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

6-XFDFN avec pad exposé

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SI3439KU6-TP
Marque nom
Original
Description
MOSFET N/P-CH 20V 0.75A 6DFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
6-XFDFN avec pad exposé
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
350mW (Tj)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
20V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
750mA (Ta), 520mA (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
250 mΩ à 500 mA, 4,5 V, 850 mΩ à 500 mA, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1,2 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1,2 nC à 4,5 V, 1,4 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
33pF à 16V, 36pF à 10V
Configuration
N and P-Channel
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
N et P-Channel

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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