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Module de transistors d'origine GCMX010A120B3B1P Composant électronique

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62,49 €
100-3 099 pièce
31,25 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

GCMX010A120B3B1P

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 1200V 173A

Point d'origine

China

Package/Boîte

Module

Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
GCMX010A120B3B1P
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 173A
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
577W (Tc)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
173A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
14 mOhms à 100 A, 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 40mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
483nC à 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
13800pF à 800V
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Plateau
Technologie
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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