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Transistors originaux TO-3PF R6030ENZC8 Composants de circuits électroniques

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Caractéristiques

Référence fabricant

R6030ENZC8

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-3PF

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
R6030ENZC8
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-3PF
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
600 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
30A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
130 mOhms à 14,5 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2100 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs