POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Authorized Distributor Ic Chips Integrated Circuit 8-HWSON (3.3x3.3) Transistors RJK03E0DNS-00#J5
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Attributs
Montage en SurfaceType de montage
FETs, MOSFETsApplication fonctionnelle
RJK03E0DNS-00#J5Numéro de Type
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
8-HWSON (3.3x3.3)Package / Case
Description:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Package:Bulk
FET Type:N-Channel
Technology:MOSFET (Metal Oxide)
Caractéristiques du produit
Type de montage
Montage en Surface
Application fonctionnelle
FETs, MOSFETs
Numéro de Type
RJK03E0DNS-00#J5
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Package / Case
8-HWSON (3.3x3.3)
Description
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Package
Bulk
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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100 - 3 099 pièce
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