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PSMN2R4-30YLD nouveau canal N d'origine 30 V 100A (Tc) 106W (Tc) montage en surface LFPAK56, composants électroniques Power-SO8

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Attributs

PSMN2R4-30YLDNuméro de Type
MOSFETType
ORIGINALMarque nom
TraversantsType de paquet
N-Channel 30 V 100A (Tc) 106W (Tc) Montage en surface LFPAK56, Power-SO8Description
MalaysiaPoint d'origine
Package/Boîte:SC-100, SOT-669
d/c:-
Application:-
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:-
Type de Support:-
Résistance-socle (R1):-
Résistance-socle émetteur (R2):-
FET Caractéristique:-
Vidange à la tension de la Source (Vdss):-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:-
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:-
Fréquence:-
Courant nominal (ampères):-
Facteur de bruit:-
Alimentation-Sortie:-
Tension Nominale:-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):-
Vgs (Max):-
Type IGBT:-
Configuration:-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:-
Entrée:-
Thermistance NTC:-
Tension-panne (V (BR) GSS):-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):-
Vidange de courant (Id)-Max:-
Tension-coupure (VGS off) @ Id:-
Résistance-RDS (On):-
Tension-Sortie:-
Tension-décalage (Vt):-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):-
Courant-vallée (Iv):-
Courant-Crête:-
Transistor Type:-
Type de montage:À travers le trou
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:24.0X18.0X16.0 cm
unique poids brut:1.000 kg

Caractéristiques du produit

Numéro de Type
PSMN2R4-30YLD
Type
MOSFET
Marque nom
ORIGINAL
Type de paquet
Traversants
Description
N-Channel 30 V 100A (Tc) 106W (Tc) Montage en surface LFPAK56, Power-SO8
Point d'origine
Malaysia
Package/Boîte
SC-100, SOT-669
d/c
-
Application
-
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Type de Support
-
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type IGBT
-
Configuration
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Transistor Type
-
Type de montage
À travers le trou

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
24.0X18.0X16.0 cm
unique poids brut
1.000 kg

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