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Transistors PSMQ078N10LS2_R2_00201 DFN5060-8 – Achetez en ligne des composants électroniques, circuits intégrés (BOM) en stock

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Référence fabricant

PSMQC078N10LS2_R2_00201

Marque nom

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Description

100V/ 7,8M/ EXCELLENT FAIBLE FOM MO

Point d'origine

China

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DFN5060-8

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
PSMQC078N10LS2_R2_00201
Marque nom
Original
Description
100V/ 7,8M/ EXCELLENT FAIBLE FOM MO
Point d'origine
China
Package/Boîte
DFN5060-8
Température de fonctionnement
-
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
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