PXAE213708NB-V1-R0 Transistors RF MOSFET LDMOS 29V 8HB2SOF PG-HB2SOF-8-1 Electronic Components Purchase BOM IC In Stock
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Attributs
PXAE213708NB-V1-R0Numéro de Type
Montage en SurfaceType de montage
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
FETs, MOSFETsApplication fonctionnelle
PG-HB2SOF-8-1Package / Case
Description:RF MOSFET LDMOS 29V 8HB2SOF
Package:Tape & Reel (TR)
Technology:LDMOS
Configuration:-
Frequency:2.11GHz ~ 2.18GHz
Gain:16dB
Caractéristiques du produit
Numéro de Type
PXAE213708NB-V1-R0
Type de montage
Montage en Surface
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Application fonctionnelle
FETs, MOSFETs
Package / Case
PG-HB2SOF-8-1
Description
RF MOSFET LDMOS 29V 8HB2SOF
Package
Tape & Reel (TR)
Technology
LDMOS
Configuration
-
Frequency
2.11GHz ~ 2.18GHz
Gain
16dB
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
100 - 3 099 pièce
22,65 €
>= 3 100 pièce
11,33 €
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PXAE213708NB-V1-R0
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