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Mosfet de puissance 100V 180A Transistor TO-220 Canal N DTP18100 Irfb4110

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0,4522 €
Quantité minimale : 1 pièce
Spécification

Caractéristiques

Référence fabricant

DTP18100

Type

MOSFET

Type de paquet

-

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Other

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-

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DTP18100
Type
MOSFET
Type de paquet
-
Point d'origine
Original
Code date de fabrication
Le plus récent
Application
-
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type IGBT
-
Configuration
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Type de montage
À travers le trou
Paiement
Paypal\TT\Western Union\Assurance commerciale
Expédition par
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Délai de livraison
1-3 jours ouvrables
Fiche technique
Gestionnaire de contacts
RDS(ON) (mΩ) à VGS=10V
3.6
VGS ±(V)
20
VDS (V)
100
VGS(th)(V)
3
ID (A)
180

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

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Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs