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Transistors PowerDI5060-8 DMTH10H4M5LPSW Composants électroniques de circuit originaux

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1,64 €
100-3 099 pièce
0,8164 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

DMTH10H4M5LPSW

Marque nom

Original

Description

MOSFET BVDSS : 61 V~100 V POWERDI50

Point d'origine

China

Package/Boîte

PowerDI5060-8 (Type UX)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DMTH10H4M5LPSW
Marque nom
Original
Description
MOSFET BVDSS : 61 V~100 V POWERDI50
Point d'origine
China
Package/Boîte
PowerDI5060-8 (Type UX)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
20A (Ta), 107A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
4,9 mOhms à 30 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4843 pF @ 50 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en surface, flanc mouillable
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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