R1RW0416DSB-2LR # Mémoire D1 44 TSOP Acheter en ligne Composants électroniques En stock
R1RW0416DSB-2LR # Mémoire D1 44 TSOP Acheter en ligne Composants électroniques En stockAucun avis pour l'instant
Attributs
SRAMTechnologie
volatileType de mémoire
256Kx16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:12 secondes
Interface mémoire:Parallèle
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R1RW0416DSB2LR # D1
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