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Transistor MOSFET RM20P30D3, canal P, 30 V, 20 A (Ta), 35 W (Ta), SMD 8-DFN-EP RM20P30D3

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Quantité minimale : 1 pièce

Spécification

RM20P30D3

Caractéristiques

Référence fabricant

RM20P30D3

Type

STANDARD

Marque nom

leixinrui

Type de paquet

STANDARD

Description

STANDARD

Point d'origine

Guangdong, China

Expédition

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
RM20P30D3
Type
STANDARD
Marque nom
leixinrui
Type de paquet
STANDARD
Description
STANDARD
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
8-PowerVDFN
Code date de fabrication
STANDARD
Application
STANDARD
Médias Disponibles
STANDARD
Puissance Max
35W (Ta)
FET Type
P-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
20A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
15 mOhms à 15 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1,9 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2130 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
STANDARD, Montage en surface

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

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