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RM24C128DS-LSNI-B BOM IC CBRAM 128KBIT I2C 1MHZ 8SOIC RM24C128DS-LSNI-B

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Caractéristiques

Marque nom

RM24C128DS-LSNI-B

Référence fabricant

RM24C128DS-LSNI-B

Type

Non volatile

Type de montage

Montage en surface

Point d'origine

Taiwan, China

Description

CI CBRAM 128KBIT I2C 1MHZ 8SOIC

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Caractéristiques du produit

Type de montage
Montage en surface
Type
Non volatile
Référence fabricant
RM24C128DS-LSNI-B
Marque nom
RM24C128DS-LSNI-B
Point d'origine
Taiwan, China
Description
CI CBRAM 128KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Type de conditionnement
Tube
Fonction
Mémoire
Application
Mémoire
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Package/Boîte
8-SOIC (0.154, Largeur 3,90 mm)
Série
Mavriq
Caractéristiques
-
Référence croisée
-
Chimie de la batterie
Norme
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 20 V
Format de mémoire
CBRAM
Taille de la mémoire
128Kbit
Organisation de la mémoire
Taille de page de 64 octets
Interface mémoire
I2C
Fréquence d'horloge
1 MHz
Temps de cycle d'écriture - Page de mot
100 µs, 5 ms
Temps d'accès
-
Tension d'alimentation
1,65 V ~ 3,6 V
Technologie
CBRAM
Garantie
Un an

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
1.000 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs