Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
8 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM
Tension D'alimentation:2,4 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:512Kx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:45 secondes
Interface mémoire:Parallèle
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg
