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RMLV0816BGSD-4S2 # HA1 BOM IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II RMLV0816BGSD-4S2 # HA1

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0,1667-1,85 €
Quantité minimale : 10 pièce

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Caractéristiques

Marque nom

RMLV0816BGSD-4S2#HA1

Référence fabricant

RMLV0816BGSD-4S2#HA1

Type

Volatil

Type de montage

Montage en surface

Point d'origine

Taiwan, China

Description

CI SRAM 8Mbit parallèle 52 TSOP II

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Caractéristiques du produit

Type de montage
Montage en surface
Type
Volatil
Référence fabricant
RMLV0816BGSD-4S2#HA1
Marque nom
RMLV0816BGSD-4S2#HA1
Point d'origine
Taiwan, China
Description
CI SRAM 8Mbit parallèle 52 TSOP II
Type de conditionnement
Tape & Reel (TR)
Fonction
Mémoire
Application
Mémoire
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Package/Boîte
52-TFSOP (0.350, Largeur 8,89 mm)
Série
-
Caractéristiques
-
Référence croisée
-
Chimie de la batterie
Norme
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 20 V
Format de mémoire
SRAM
Taille de la mémoire
8Mbit
Organisation de la mémoire
1M x 8, 512K x 16
Interface mémoire
Parallèle
Fréquence d'horloge
-
Temps de cycle d'écriture - Page de mot
45ns
Temps d'accès
45 ns
Tension d'alimentation
2,4 V ~ 3,6 V
Technologie
SRAM
Garantie
Un an

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
1.000 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

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