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Transistor MOSFET RQ5A030APTL, canal P, 12 V, 3 A (Ta), 1 W (Ta), SMD TSMT3 RQ5A030APTL

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Quantité minimale : 1 pièce
Spécification

Caractéristiques

Référence fabricant

RQ5A030APTL

Type

STANDARD

Marque nom

Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd.

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Description

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Guangdong, China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
RQ5A030APTL
Type
STANDARD
Marque nom
Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd.
Type de paquet
STANDARD
Description
STANDARD
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
SC-96
Code date de fabrication
STANDARD
Application
STANDARD
Médias Disponibles
STANDARD
Puissance Max
1W (Ta)
FET Type
P-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
12 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
3A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
62 mOhms à 3 A, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 6 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
1,5 V, 4,5 V
Vgs (Max)
-8V
Type de montage
STANDARD, Montage en surface

Emballage et livraison

vente Unités
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