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Diode redresseur BZX55C 3V0 0.5W montage en surface de diode Zener en verre pour générateur

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Attributs

3v0Numéro de Type
TransistorsType
OEMMarque nom
Montage en SurfaceType de paquet
Diode de redresseur Bzx55C 3V0 0.5W Diode Zener en verreDescription
ChinaPoint d'origine
Package/Boîte:-
d/c:2SC1815
Application:Circuit imprimé appareil électrique
Type de Fournisseur:Fabricant original
Médias Disponibles:Autre
Collecteur de courant (Ic) (Max):-
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:-
Courant-coupure de collecteur (Max):-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:-
Puissance Max:-
Fréquence-Transition:-
Type de Support:-
Résistance-socle (R1):-
Résistance-socle émetteur (R2):-
FET Type:-
FET Caractéristique:-
Vidange à la tension de la Source (Vdss):-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:-
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:-
Fréquence:-
Courant nominal (ampères):-
Facteur de bruit:-
Alimentation-Sortie:-
Tension Nominale:-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):-
Vgs (Max):-
Type IGBT:-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:-
Entrée:-
Thermistance NTC:-
Tension-panne (V (BR) GSS):-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):-
Vidange de courant (Id)-Max:-
Tension-coupure (VGS off) @ Id:-
Résistance-RDS (On):-
Tension-Sortie:-
Tension-décalage (Vt):-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):-
Courant-vallée (Iv):-
Courant-Crête:-
Description:-
Tension:-
Température de fonctionnement:-
Applications:-

Caractéristiques du produit

Numéro de Type
3v0
Type
Transistors
Marque nom
OEM
Type de paquet
Montage en Surface
Description
Diode de redresseur Bzx55C 3V0 0.5W Diode Zener en verre
Point d'origine
China
Package/Boîte
-
d/c
2SC1815
Application
Circuit imprimé appareil électrique
Type de Fournisseur
Fabricant original
Médias Disponibles
Autre
Collecteur de courant (Ic) (Max)
-
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-
Courant-coupure de collecteur (Max)
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Puissance Max
-
Fréquence-Transition
-
Type de Support
-
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
FET Type
-
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type IGBT
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Description
-
Tension
-
Température de fonctionnement
-
Applications
-

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

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Emballage personnalisé (Commande minimale : 5,000,000 pièces)
Logo personnalisé (Commande minimale : 5,000,000 pièces)
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Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
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0,0087 €
Personnalisation
Emballage personnalisé (Quantité min. : 5000000 pièces)
Logo personnalisé (Quantité min. : 5000000 pièces)

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