Composants électroniques de mémoire S70KL1282GABHB023 24 VBGA en stock
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Attributs
PSRAM (Pseudo-SRAM)Technologie
volatileType de mémoire
16Mx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
128 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique Bom Service
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:35 secondes
Interface mémoire:Bus hyper
Caractéristiques du produit
Technologie
PSRAM (Pseudo-SRAM)
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
16Mx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
128 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique Bom Service
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
35 secondes
Interface mémoire
Bus hyper
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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2 500 - 5 499 pièce
2,10 €
>= 5 500 pièce
1,05 €
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S70KL1282GABHB023
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