UNITE CHANCE CO., LIMITED

HK1 an

5/5(1)

Note de la boutique

≤2h

Temps de réponse

≥100%

Taux de livraison dans les délais

33%

Taux de réachat

Marchés principaux: États-Unis d'Amérique, Turquie (Türkiye), Corée du Sud, Inde, Argentine

Transistors SCTW35N65G2VAG HiP247 Acheter des composants électroniques en ligne Canal Fabricant

Name: Transistors Sctw35n65g2vag Hip247 Acheter Des Composants Électroniques En Ligne Canal Fabricant - Buy Product on Alibaba.com
Brand: UNITE CHANCE CO., LIMITED
SKU: 1601819328680
Price: 5.52 USD
Availability: InStock

Aucun avis pour l'instant

9,63 €

100-3 099 pièce

4,82 €

≥3 100 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

SCTW35N65G2VAG

Marque nom

Original

Description

SICFET N-CH 650V 45A HIP247

Point d'origine

China

Package/Boîte

HiP247

Température de fonctionnement

-55°C ~ 200°C (TJ)

Expédition

Frais de livraison et date de livraison à négocier. Contactez le fournisseur dès maintenant pour plus d’informations.

Sous-total de l'article

0,00 €

Montant des frais de port

À négocier

Sous-total

0,00 €

Protection des commandes Alibaba.com

Paiements sécurisés

Chaque paiement que vous effectuez sur Alibaba.com est sécurisé par un cryptage SSL strict et des protocoles de protection des données PCI DSS.

Protection de remboursement

Demandez un remboursement si votre commande n'est pas expédiée, est introuvable ou arrive avec des problèmes liés au produit

Seules les commandes passées et payées via Alibaba.com sont protégées gratuitement par

Paiement & Financement

Payez en 4X sans frais avec

Caractéristiques du produit

Référence fabricant

SCTW35N65G2VAG

Marque nom

Original

Description

SICFET N-CH 650V 45A HIP247

Point d'origine

China

Package/Boîte

HiP247

Température de fonctionnement

-55°C ~ 200°C (TJ)

Série

Code date de fabrication

NEUF

FET Type

N-Channel

FET Caractéristique

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

650 V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

45A (Tc)

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

67 mOhms à 20 A, 20 V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

73 nC @ 20 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1370 pF à 400 V

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

18V, 20V

Vgs (Max)

+22V, -10V

Type de montage

À travers le trou

Emballage

Tube

Type de FET

Canal N

Technologie

SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités

Article unique

seul paquet taille

1X1X1 cm

unique poids brut

0.1 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Signaler une activité suspecte

Avertissement/Disclaimer

California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus

Quantité (pièce)	1 - 100 000	> 100 000
Durée estimée (jours)	31	À négocier