SCTW40N120G2V Transistors Integrated Circuit Kit Original SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 HiP247
SCTW40N120G2V Transistors Integrated Circuit Kit Original SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 HiP247Note de la boutique :5.0
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Attributs
À travers le trouType de montage
FETs, MOSFETsApplication fonctionnelle
SCTW40N120G2VNuméro de Type
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
HiP247Package / Case
Description:SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Package:Tube
FET Type:N-Channel
Technology:SiCFET (Silicon Carbide)
Caractéristiques du produit
Type de montage
À travers le trou
Application fonctionnelle
FETs, MOSFETs
Numéro de Type
SCTW40N120G2V
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Package / Case
HiP247
Description
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Package
Tube
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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