Transistor bipolaire simple SEP Brand Original Factory Direct 2N3906 SOT-23 SMD 200mA 40V PNP 625mW 250MHz
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Attributs
Transistor bipolaireType
-Application
Montage en SurfaceType de paquet
Montage en SurfaceType de montage
-FET Caractéristique
SIMPLEConfiguration
Médias Disponibles:Datasheet
Type de Fournisseur:Original manufacturer
Puissance Max:625 mW
Package/Boîte:Sot-23
Description:Standard
Référence fabricant:2N3906
Marque nom:SEP
Point d'origine:Guangdong, China
Température de fonctionnement:-55℃~150℃
Série:-
Code date de fabrication:new
Référence croisée:-
Collecteur de courant (Ic) (Max):200 mA
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.):40 V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:0.25 V @ Ic=10mA, Ib=1mA
Courant-coupure de collecteur (Max):50 nA
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ Ic=10mA, Vce=1V
Fréquence-Transition:250 MHz
Résistance-socle (R1):-
FET Type:-
Vidange à la tension de la Source (Vdss):-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:-
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:-
Fréquence:-
Courant nominal (ampères):200 mA
Facteur de bruit:-
Alimentation-Sortie:-
Tension Nominale:40 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):-
Vgs (Max):-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:-
Entrée:-
Thermistance NTC:-
Tension-panne (V (BR) GSS):-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):-
Vidange de courant (Id)-Max:-
Tension-coupure (VGS off) @ Id:-
Résistance-RDS (On):-
Tension-Sortie:-
Tension-décalage (Vt):-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):-
Courant-vallée (Iv):-
Courant-Crête:200 mA
Transistor Type:Pnp
Caractéristiques du produit
Type
Transistor bipolaire
Application
-
Type de paquet
Montage en Surface
Type de montage
Montage en Surface
FET Caractéristique
-
Configuration
SIMPLE
Médias Disponibles
Datasheet
Type de Fournisseur
Original manufacturer
Puissance Max
625 mW
Package/Boîte
Sot-23
Description
Standard
Référence fabricant
2N3906
Marque nom
SEP
Point d'origine
Guangdong, China
Température de fonctionnement
-55℃~150℃
Série
-
Code date de fabrication
new
Référence croisée
-
Collecteur de courant (Ic) (Max)
200 mA
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
40 V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
0.25 V @ Ic=10mA, Ib=1mA
Courant-coupure de collecteur (Max)
50 nA
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ Ic=10mA, Vce=1V
Fréquence-Transition
250 MHz
Résistance-socle (R1)
-
FET Type
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
200 mA
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
40 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
200 mA
Transistor Type
Pnp
Type de montage
Montage en Surface
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
Quantité minimale : 100 pièce
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2N3906
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