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Transistor bipolaire SEP Brand Original Factory Direct 2N3906 SOT-23 Package SMD 200mA 40V PNP 625mW 250MHz

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Attributs

2N3906Numéro de Type
Transistor bipolaireType
SEPMarque nom
Montage en SurfaceType de paquet
StandardDescription
Guangdong, ChinaPoint d'origine
Package/Boîte:Sot-23
Température de fonctionnement:-55℃~150℃
Série:-
d/c:new
Application:-
Type de Fournisseur:Original manufacturer
Référence croisée:-
Médias Disponibles:Datasheet
Collecteur de courant (Ic) (Max):200 mA
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):40 V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:0.25 V @ Ic=10mA, Ib=1mA
Courant-coupure de collecteur (Max):50 nA
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ Ic=10mA, Vce=1V
Puissance Max:625 mW
Fréquence-Transition:250 MHz
Type de Support:Montage en Surface
Résistance-socle (R1):-
FET Type:-
FET Caractéristique:-
Vidange à la tension de la Source (Vdss):-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:-
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:-
Fréquence:-
Courant nominal (ampères):200 mA
Facteur de bruit:-
Alimentation-Sortie:-
Tension Nominale:40 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):-
Vgs (Max):-
Configuration:SIMPLE
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:-
Entrée:-
Thermistance NTC:-
Tension-panne (V (BR) GSS):-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):-
Vidange de courant (Id)-Max:-
Tension-coupure (VGS off) @ Id:-
Résistance-RDS (On):-
Tension-Sortie:-
Tension-décalage (Vt):-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):-
Courant-vallée (Iv):-
Courant-Crête:200 mA
Transistor Type:Pnp
Type de montage:Montage en Surface
vente Unités:Article unique

Caractéristiques du produit

Numéro de Type
2N3906
Type
Transistor bipolaire
Marque nom
SEP
Type de paquet
Montage en Surface
Description
Standard
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
Sot-23
Température de fonctionnement
-55℃~150℃
Série
-
d/c
new
Application
-
Type de Fournisseur
Original manufacturer
Référence croisée
-
Médias Disponibles
Datasheet
Collecteur de courant (Ic) (Max)
200 mA
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
40 V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
0.25 V @ Ic=10mA, Ib=1mA
Courant-coupure de collecteur (Max)
50 nA
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ Ic=10mA, Vce=1V
Puissance Max
625 mW
Fréquence-Transition
250 MHz
Type de Support
Montage en Surface
Résistance-socle (R1)
-
FET Type
-
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
200 mA
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
40 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Configuration
SIMPLE
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
200 mA
Transistor Type
Pnp
Type de montage
Montage en Surface

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
Quantité minimale : 100 pièce
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