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Transistor MOSFET IGBT SGT40N60NPFDPN TO-3P 40N60 Nouveau CI d'origine 40N60NPFD

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Caractéristiques

Référence fabricant

SGT40N60NPFDPN

Type

Transistor IGBT

Marque nom

SILAN

Type de paquet

Traversants

Description

IGBT Transistor

Point d'origine

Guangdong, China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SGT40N60NPFDPN
Type
Transistor IGBT
Marque nom
SILAN
Type de paquet
Traversants
Description
IGBT Transistor
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
TO-3P
Température de fonctionnement
standard
Série
standard
Code date de fabrication
25+
Application
standard
Type de Fournisseur
Fabricant original
Référence croisée
standard
Médias Disponibles
Fiche technique
Collecteur de courant (Ic) (Max)
standard
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
standard
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
standard
Courant-coupure de collecteur (Max)
standard
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
standard
Puissance Max
standard
Fréquence-Transition
standard
Résistance-socle (R1)
standard
Résistance-socle émetteur (R2)
standard
FET Caractéristique
Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
standard
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
standard
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
standard
Vgs (th) (Max) @ Id
standard
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
standard
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
standard
Fréquence
standard
Courant nominal (ampères)
standard
Facteur de bruit
standard
Alimentation-Sortie
standard
Tension Nominale
standard
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
standard
Vgs (Max)
standard
Type IGBT
standard
Configuration
standard
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
standard
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
standard
Entrée
standard
Thermistance NTC
standard
Tension-panne (V (BR) GSS)
standard
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
standard
Vidange de courant (Id)-Max
standard
Tension-coupure (VGS off) @ Id
standard
Résistance-RDS (On)
standard
Tension-Sortie
standard
Tension-décalage (Vt)
standard
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
standard
Courant-vallée (Iv)
standard
Courant-Crête
standard
Transistor Type
IGBT Transistor
Type de montage
À travers le trou
Warranty
30-90 Days
Quality
100% Original 100% Brand
Packing
New*original Packing

Emballage et livraison

vente Unités
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5X5X5 cm
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