Transistor IGBT SL 60N60FD1 60A/600V SGT60N60FD1PN 60N60 à faible perte de conduction, vitesse de commutation rapide, haute impédance d'entrée, surface
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Attributs
Transistor IGBTType
But généralApplication
Montage en SurfaceType de paquet
SMTType de montage
StandardFET Caractéristique
Inverseur TriphaséConfiguration
Référence fabricant:SGT60N60FD1
Marque nom:SL
Description:Transistor IGBT 60N60FD1 60A/600V, SGT60N60FD1
Point d'origine:Guangdong, China
Package/Boîte:TO-3P
Température de fonctionnement:Aucun
Série:Aucun
Code date de fabrication:Le plus récent
Type de Fournisseur:Agence
Référence croisée:NJW0302 NJW0281
Médias Disponibles:Fiche technique, Photo
Collecteur de courant (Ic) (Max):Aucun
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.):Aucun
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:Aucun
Courant-coupure de collecteur (Max):Aucun
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:Aucun
Puissance Max:Aucun
Fréquence-Transition:Aucun
Résistance-socle (R1):Aucun
Résistance-socle émetteur (R2):Aucun
FET Type:Aucun
Vidange à la tension de la Source (Vdss):Aucun
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:Aucun
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:Aucun
Vgs (th) (Max) @ Id:Aucun
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:Aucun
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:Aucun
Fréquence:Aucun
Courant nominal (ampères):Aucun
Facteur de bruit:Aucun
Alimentation-Sortie:Aucun
Tension Nominale:Aucun
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):Aucun
Vgs (Max):Aucun
Type IGBT:Aucun
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:Aucun
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:Aucun
Entrée:Aucun
Thermistance NTC:Aucun
Tension-panne (V (BR) GSS):Aucun
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):Aucun
Vidange de courant (Id)-Max:Aucun
Tension-coupure (VGS off) @ Id:Aucun
Résistance-RDS (On):Aucun
Tension-Sortie:Aucun
Tension-décalage (Vt):Aucun
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):Aucun
Courant-vallée (Iv):Aucun
Courant-Crête:Aucun
Transistor Type:transistor
Prix:contactez-nous pour obtenir le prix le plus bas
Paiement:L/C,D/A,D/P,T/T,Paypal,Western Union,MoneyGram
Série:IGBT
Caractéristiques du produit
Type
Transistor IGBT
Application
But général
Type de paquet
Montage en Surface
Type de montage
SMT
FET Caractéristique
Standard
Configuration
Inverseur Triphasé
Médias Disponibles
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Type de Fournisseur
Agence
Puissance Max
Aucun
Package/Boîte
TO-3P
Description
Transistor IGBT 60N60FD1 60A/600V, SGT60N60FD1
Référence fabricant
SGT60N60FD1
Marque nom
SL
Point d'origine
Guangdong, China
Température de fonctionnement
Aucun
Série
Aucun
Code date de fabrication
Le plus récent
Référence croisée
NJW0302 NJW0281
Collecteur de courant (Ic) (Max)
Aucun
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
Aucun
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Aucun
Courant-coupure de collecteur (Max)
Aucun
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Aucun
Fréquence-Transition
Aucun
Résistance-socle (R1)
Aucun
Résistance-socle émetteur (R2)
Aucun
FET Type
Aucun
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Aucun
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Aucun
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Aucun
Vgs (th) (Max) @ Id
Aucun
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Aucun
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Aucun
Fréquence
Aucun
Courant nominal (ampères)
Aucun
Facteur de bruit
Aucun
Alimentation-Sortie
Aucun
Tension Nominale
Aucun
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Aucun
Vgs (Max)
Aucun
Type IGBT
Aucun
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Aucun
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Aucun
Entrée
Aucun
Thermistance NTC
Aucun
Tension-panne (V (BR) GSS)
Aucun
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Aucun
Vidange de courant (Id)-Max
Aucun
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Aucun
Résistance-RDS (On)
Aucun
Tension-Sortie
Aucun
Tension-décalage (Vt)
Aucun
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Aucun
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Aucun
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