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Transistor IGBT de puissance à canal N SQJ116EP-T1_GE3 100 V (D-S) à montage en surface pour composants de commutation d'onduleur TV Vishay PowerPAK

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1,75 €
1-499 pièce
0,5707 €
500-999 pièce
0,535 €
≥1 000 pièce
Spécification

Caractéristiques

Référence fabricant

SQJ116EP-T1_GE3

Type

Montage en surface

Marque nom

Vishay

Type de paquet

norme

Description

SQJ116EP-T1_GÉ3

Point d'origine

Other

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SQJ116EP-T1_GE3
Type
Montage en surface
Marque nom
Vishay
Type de paquet
norme
Description
SQJ116EP-T1_GÉ3
Point d'origine
original
Package/Boîte
PAK SO-8L
Température de fonctionnement
norme
Série
UJ4N
Code date de fabrication
norme
Application
norme
Type de Fournisseur
Fabricant original
Référence croisée
norme
Médias Disponibles
Fiche technique
Collecteur de courant (Ic) (Max)
norme
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
norme
Courant-coupure de collecteur (Max)
norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
norme
Puissance Max
norme
Fréquence-Transition
norme
Résistance-socle (R1)
norme
Résistance-socle émetteur (R2)
norme
FET Type
norme
FET Caractéristique
Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
norme
Type de montage
STANDARD

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

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