MOSFET ST STL7N60M2 canal N 600V 5A | Alimentation à découpage / Convertisseur / Application moteur | Fournisseur OEM / ODM | Prix direct d'usine
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Attributs
MOSFETType
Interrupteur d'alimentation CircuitsApplication
Montage en SurfaceType de paquet
Montage en SurfaceType de Support
StandardFET Caractéristique
Interrupteur simpleConfiguration
Numéro de Type:STL7N60M2
Marque nom:STMicroelectronics
Description:N-channel High Voltage 600 V Power MOSFET, 0.92 Ohm typ 5 A MDmesh M2, PowerFLAT 5x5mm, Package
Point d'origine:China
Package/Boîte:PowerFLAT 5x5mm
Température de fonctionnement:-55~+150
Série:MDmesh M2
d/c:2019+
Type de Fournisseur:Fabricant original, Agence
Médias Disponibles:Fiche technique, Modèles EDA/cao
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):NONE
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:NONE
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:NONE
Puissance Max:67W
Fréquence-Transition:10MHz
Résistance-socle (R1):NONE
Résistance-socle émetteur (R2):NONE
FET Type:N-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss):600V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:5A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:1.05Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250uA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:8.8nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:271pF @ 100V
Courant nominal (ampères):5A
Alimentation-Sortie:67W
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):10V
Vgs (Max):±25V
Type IGBT:NONE
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:NONE
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:NONE
Entrée:1
Thermistance NTC:0
Tension-panne (V (BR) GSS):600
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):100uA
Vidange de courant (Id)-Max:5A
Tension-coupure (VGS off) @ Id:+-25V
Résistance-RDS (On):0.92 Ohm
Transistor Type:MOSFET
Type de montage:Montage en Surface
Caractéristiques du produit
Type
MOSFET
Application
Interrupteur d'alimentation Circuits
Type de paquet
Montage en Surface
Type de Support
Montage en Surface
FET Caractéristique
Standard
Configuration
Interrupteur simple
Médias Disponibles
Fiche technique, Modèles EDA/cao
Type de Fournisseur
Fabricant original, Agence
Puissance Max
67W
Package/Boîte
PowerFLAT 5x5mm
Description
N-channel High Voltage 600 V Power MOSFET, 0.92 Ohm typ 5 A MDmesh M2, PowerFLAT 5x5mm, Package
Numéro de Type
STL7N60M2
Marque nom
STMicroelectronics
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
-55~+150
Série
MDmesh M2
d/c
2019+
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
NONE
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
NONE
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
NONE
Fréquence-Transition
10MHz
Résistance-socle (R1)
NONE
Résistance-socle émetteur (R2)
NONE
FET Type
N-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
600V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
5A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250uA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.8nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
271pF @ 100V
Courant nominal (ampères)
5A
Alimentation-Sortie
67W
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±25V
Type IGBT
NONE
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
NONE
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
NONE
Entrée
1
Thermistance NTC
0
Tension-panne (V (BR) GSS)
600
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
100uA
Vidange de courant (Id)-Max
5A
Tension-coupure (VGS off) @ Id
+-25V
Résistance-RDS (On)
0.92 Ohm
Transistor Type
MOSFET
Type de montage
Montage en Surface
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