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STGWA80H65DFB TO-247 80A 650V – Transistor à effet de champ IGBT STGWA80H65DFB – Catégorie de produit : Circuits intégrés (CI)

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STGWA80H65DFB

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Traversants

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
STGWA80H65DFB
Type
norme
Marque nom
JMY
Type de paquet
Traversants
Description
norme
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
À--220F
Série
norme
Code date de fabrication
Le plus récent
Application
norme
Type de Fournisseur
Fabricant original, ODM, Agence, Détaillant, Autre
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao, Autre
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
40
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
1200 V
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1200 V
Résistance-socle (R1)
norme
Résistance-socle émetteur (R2)
norme
FET Caractéristique
Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
norme
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
norme
Vgs (th) (Max) @ Id
norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
norme
Fréquence
norme
Courant nominal (ampères)
norme
Facteur de bruit
norme
Alimentation-Sortie
norme
Tension Nominale
norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
norme
Vgs (Max)
norme
Type IGBT
norme
Configuration
norme
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
norme
Entrée
norme
Thermistance NTC
norme
Tension-panne (V (BR) GSS)
norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
1
Vidange de courant (Id)-Max
1
Tension-coupure (VGS off) @ Id
1
Résistance-RDS (On)
1
Tension-Sortie
1
Tension-décalage (Vt)
norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
norme
Courant-vallée (Iv)
norme
Courant-Crête
norme
Transistor Type
norme
Expédition par
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Poste
Modes de paiement
PAYPAL \ TT \ VISA \ Garantie commerciale
Service de nomenclature
Services de support BOM centralisés
Délai de livraison
1 à 3 jours ouvrables
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