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Transistor MOSFET STP80NF55L-06 STP80NF55 80NF55 canal N 55 V 80 A (Tc) 300 W (Tc) DIP TO-220 – Approvisionnement immédiat, service de liste BOM

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Spécification

STP80NF55L-06
Personnalisation
PCBA (Quantité min. : 1 pièce)
SMT (Quantité min. : 1 pièce)
PCB (Quantité min. : 1 pièce)
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Caractéristiques

Référence fabricant

STP80NF55L-06

Type

Transistor

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB

Point d'origine

Other

Package/Boîte

TO-220-3

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
STP80NF55L-06
Type
Transistor
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Point d'origine
Original
Package/Boîte
TO-220-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
Transistors
Code date de fabrication
Neuf
Collecteur de courant (Ic) (Max)
-
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
/
Courant-coupure de collecteur (Max)
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
/
Puissance Max
300W (Tc)
Fréquence-Transition
-
Résistance-socle (R1)
N/A
FET Type
Canal N
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
55 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
80A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
6,5 mOhms à 40 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V à 250uA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
136 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4850 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
5V, 10V
Vgs (Max)
±16V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Type de montage
Traversant (Through Hole)
Nom de la marque
Marque d'origine
Type
Transistors
Service
PCBA/PCB/SMT/Liste BOM
Description
STP80NF55L-06
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

Délai de préparation de la commande

Options de personnalisation

PCBA(+ à partir de /Commande minimale : 1 pièce)
SMT(+ à partir de /Commande minimale : 1 pièce)
PCB(+ à partir de /Commande minimale : 1 pièce)
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