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Composants électroniques SUNFON, transistors MOSFET haute efficacité G023N04P HYG023N04LS1P TO-220FB N 170A 40V 23N04

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HYG023N04LS1P

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À travers le trou

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Type

MOSFET canal N)

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Caractéristiques du produit

Numéro de Type
HYG023N04LS1P
Type de montage
À travers le trou
Point d'origine
China
Marque nom
standard
Application fonctionnelle
Contrôle industriel
Type
MOSFET canal N)
Emballage
TO-220
Tension - Vdss
40V
Courant - Idm (impulsionnel)
630A
Dissipation de puissance (Pd)
150W
Température de jonction de fonctionnement
-55°C ~ +175°C
Caractéristiques
Courant élevé, faibles pertes de commutation, conforme RoHS
Applications
Convertisseurs DC-DC, outils électriques, pilotes de moteur, protection de batterie
Paiement
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Expédition par
DHL\UPS\Fedex\EMS\TNT\Aramex

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