SY CHIPS PNP Germanium Transistor Amplificateur audio Stage Vintage Radio 2SB54I
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Attributs
AutreType
-Type de montage
-FET Caractéristique
-Configuration
Fiche techniqueMédias Disponibles
Fabricant originalType de Fournisseur
Référence fabricant:2SB54I
Marque nom:Original Brand
Description:norme
Point d'origine:Original Brand
Package/Boîte:norme
Température de fonctionnement:norme
Code date de fabrication:Nouveau
Collecteur de courant (Ic) (Max):norme
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.):-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:-
Courant-coupure de collecteur (Max):-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:-
Puissance Max:-
Fréquence-Transition:-
Résistance-socle (R1):-
Résistance-socle émetteur (R2):-
FET Type:-
Vidange à la tension de la Source (Vdss):-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:-
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:-
Fréquence:-
Courant nominal (ampères):-
Facteur de bruit:-
Alimentation-Sortie:-
Tension Nominale:-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):-
Vgs (Max):-
Type IGBT:-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:-
Entrée:-
Thermistance NTC:-
Tension-panne (V (BR) GSS):-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):-
Vidange de courant (Id)-Max:-
Tension-coupure (VGS off) @ Id:-
Résistance-RDS (On):-
Tension-Sortie:-
Tension-décalage (Vt):-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):-
Courant-vallée (Iv):-
Courant-Crête:-
Mot-clé:Transistor
Qualité:100% Original 100% Marque
Caractéristiques du produit
Type
Autre
Type de montage
-
FET Caractéristique
-
Configuration
-
Médias Disponibles
Fiche technique
Type de Fournisseur
Fabricant original
Puissance Max
-
Package/Boîte
norme
Description
norme
Référence fabricant
2SB54I
Marque nom
Original Brand
Point d'origine
Original Brand
Température de fonctionnement
norme
Code date de fabrication
Nouveau
Collecteur de courant (Ic) (Max)
norme
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-
Courant-coupure de collecteur (Max)
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Fréquence-Transition
-
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
FET Type
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type IGBT
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Type de montage
norme
Mot-clé
Transistor
Qualité
100% Original 100% Marque
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vente Unités
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Emballage adapté aux besoins du client(+ à partir de /Commande minimale : 500 pièces)
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