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SY CHIPS PNP Germanium Transistor Amplificateur audio Stage Vintage BF258

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Attributs

BF258Numéro de Type
OtherType
Original BrandMarque nom
standardDescription
Original BrandPoint d'origine
standardPackage/Boîte
Température de fonctionnement:standard
d/c:New
Type de Fournisseur:Fabricant original
Médias Disponibles:Fiche technique
Collecteur de courant (Ic) (Max):standard
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:-
Courant-coupure de collecteur (Max):-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:-
Puissance Max:-
Fréquence-Transition:-
Type de Support:-
Résistance-socle (R1):-
Résistance-socle émetteur (R2):-
FET Type:-
FET Caractéristique:-
Vidange à la tension de la Source (Vdss):-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:-
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:-
Fréquence:-
Courant nominal (ampères):-
Facteur de bruit:-
Alimentation-Sortie:-
Tension Nominale:-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):-
Vgs (Max):-
Type IGBT:-
Configuration:-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:-
Entrée:-
Thermistance NTC:-
Tension-panne (V (BR) GSS):-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):-
Vidange de courant (Id)-Max:-
Tension-coupure (VGS off) @ Id:-
Résistance-RDS (On):-
Tension-Sortie:-
Tension-décalage (Vt):-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):-
Courant-vallée (Iv):-
Courant-Crête:-
Type de montage:standard
Keyword:Transistor
Quality:100% Original 100% Brand

Caractéristiques du produit

Numéro de Type
BF258
Type
Other
Marque nom
Original Brand
Description
standard
Point d'origine
Original Brand
Package/Boîte
standard
Température de fonctionnement
standard
d/c
New
Type de Fournisseur
Fabricant original
Médias Disponibles
Fiche technique
Collecteur de courant (Ic) (Max)
standard
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-
Courant-coupure de collecteur (Max)
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Puissance Max
-
Fréquence-Transition
-
Type de Support
-
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
FET Type
-
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type IGBT
-
Configuration
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Type de montage
standard
Keyword
Transistor
Quality
100% Original 100% Brand

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
10X10X10 cm
unique poids brut
0.500 kg

Délai de préparation de la commande

Options de personnalisation

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Emballage personnalisé (Commande minimale : 500 pièces)
Personnalisation graphique (Commande minimale : 500 pièces)
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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
Quantité minimale : 1 pièce
0,1648-4,33 €

Quantité

Personnalisation
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Emballage personnalisé (Quantité min. : 500 pièces)
Personnalisation graphique (Quantité min. : 500 pièces)

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0,00 € - 0,00 €
Montant des frais de port
À négocier
Sous-total
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